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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5255 个

  • irf3205场效应管代换,60v110a,​KNP3106N参数资料-KIA MOS管

    irf3205场效应管代换型号KNP3106N?漏源击穿电压60V,漏极电流110A ,采用新型平面技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 7mΩ,减少开关损耗,提高效率;具有卓越的性能,?能够实现快速切换,提高系统效率,经过100%雪崩测试,保证了器件的稳定性和可靠性,改进的...

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    www.kiaic.com/article/detail/5884.html         2025-08-25

  • wlp封装,wlp封装工艺流程,晶圆级封装-KIA MOS管

    晶圆级封装(Wafer Level Packaging,WLP),是一种直接在晶圆上完成大部分或全部封装测试程序,再进行切割制成单颗组件的先进封装技术 。WLP基本工艺是在晶圆完成IC加工后,通过特定工艺直接在晶圆上构建IC互连接口,完成测试、老化等流程后再进行分割,直接产...

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    www.kiaic.com/article/detail/5883.html         2025-08-25

  • nmos电流方向,导通条件详解-KIA MOS管

    NMOS的电流方向在标准导通状态下为漏极(D)到源极(S),但在特定电路设计(如防反接电路)中可能反向流动(S到D)。MOS管的导通条件取决于NMOS或PMOS类型和阈值电压(Vgs(th)),NMOS需满足Vgs>Vgs(th),PMOS需满足Vsg>|Vgs(th)|(即Vg<Vs-|Vgs(th...

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    www.kiaic.com/article/detail/5882.html         2025-08-25

  • 60r180场效应管,20a600v,to220mos,​KLP60R180BD-KIA MOS管

    60r180场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流20A ,采用先进的沟槽技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 160mΩ,低栅极电荷Qg=33.5nC,减少开关损耗,提高效率;具备高耐用性、超快开关速度、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,高效稳定;在电池管理系统、负载开关、无...

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    www.kiaic.com/article/detail/5881.html         2025-08-22

  • ​电瓶车控制器电路图,原理详解-KIA MOS管

    电动车控制器的原理是在电池电压保持相对稳定的前提下,通过断续供电的方式,调整电机供电电压的平均值,从而实现对电机速度和电流的精准控制。这种控制方式使得电机能够按照预期的要求进行运转。目前,主流的控制方法为PWM脉宽调制控制机理,即通过在特定时间...

    www.kiaic.com/article/detail/5880.html         2025-08-22

  • 元器件功耗计算公式,功率器件功耗计算-KIA MOS管

    开通时损耗:PON=IceoVcetofff开通过程损耗:Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss关断时损耗:Poff=IcVcestonf关断过程损耗:Pf=IcVDStff/6=Ic2tftf'f/6CossMOSFET的总损耗为:Ptotal=Pd+Pon+Poff+Pr+Pf

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    www.kiaic.com/article/detail/5879.html         2025-08-22

  • 60r280场效应管,600vmos管,to220f mos,KLF60R280B-KIA MOS管

    KLF60R280B场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流15A,采用新型沟槽工艺制造,性能优越;低导通电阻RDS(开启) 240mΩ,减少导电损失,低栅极电荷(典型值Qg=19.6nC),减少开关损耗;具有高耐用性、快速开关、100%经雪崩测试、改进的dv/dt性能,高效稳定可靠;封...

    www.kiaic.com/article/detail/5878.html         2025-08-21

  • pwm调光原理,pwm调光原理图-KIA MOS管

    PWM波形为一个矩形波,包含高电平(ON)和低电平(OFF)两个状态。通过改变高电平时间占总周期的比例(即占空比),可以实现不同亮度的输出。占空比越大,LED在高电平状态下持续的时间越长,平均亮度也就越高;反之,占空比越小,LED在低电平状态下持续的时间越...

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    www.kiaic.com/article/detail/5872.html         2025-08-21

  • 半导体分立器件有哪些,分类介绍-KIA MOS管

    分立器件按功能划分为二极管、三极管、场效应管和晶闸管等类型。最新研究显示,其分类已拓展至材料维度,包含硅基、锗基及化合物半导体器件。在结构维度上,涵盖PN结二极管、双极型晶体管和MOSFET等多种形式,其中硅基MOSFET因兼具大功率与高频特性成为主流应用...

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    www.kiaic.com/article/detail/5871.html         2025-08-21

  • 60r280场效应管,600vmos管,​15a600v,KLD60R280B参数-KIA MOS管

    KLD60R280B场效应管漏源击穿电压600V,漏极电流15A,采用新型沟槽工艺制造,性能优越;低导通电阻RDS(开启) 240mΩ,减少导电损失,低栅极电荷(典型值Qg=19.6nC),减少开关损耗;具有高耐用性、快速开关、100%经雪崩测试、改进的dv/dt性能,高效稳定可靠;封...

    www.kiaic.com/article/detail/5870.html         2025-08-20

  • 四种变换电路详解,变换电路原理图-KIA MOS管

    电力变换通常分为四大类,交流变直流(AC→DC)的整流电路;直流变交流(DC→AC)的逆变电路;直流变直流(DC→DC)的直流斩波电路;交流变交流(AC→AC)的交流交流电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/5869.html         2025-08-20

  • 车载电源原理详解,车载电源原理图-KIA MOS管

    车载电源属于新能源汽车“电控总成” 中的关键电气零部件,主要包括逆变器、车载充电机(OBC)和DC-DC转换器等核心模块。

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    www.kiaic.com/article/detail/5868.html         2025-08-20

  • ​2920场效应管,高频开关mos,200v130a,KCP2920K参数-KIA MOS管

    KCP2920K场效应管漏源击穿电压200V,漏极电流130A,采用专利新型沟槽工艺制造,SGT MOSFET技术,提升功率密度,性能优越;?极低导通电阻RDS(开启) 9.8mΩ,减少导电损失,?低栅极电荷减少开关损耗;快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能,提高器件的开...

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    www.kiaic.com/article/detail/5867.html         2025-08-19

  • 新能源电机控制器结构,工作原理详解-KIA MOS管

    新能源汽车电机控制器是电动汽车的核心部件,负责控制电机的转速和扭矩输出。其结构主要包括电源模块(直流转交流)、控制器(控制工作状态)、功率部分(MOS管和液压模块,稳定性高)、驱动模块(驱动电机运转)和通讯部分(与汽车系统交互)。

    www.kiaic.com/article/detail/5866.html         2025-08-19

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